存储市场消费电子应用疲软的环境下，HBM成为发展新动能，备受大厂重视。近期，三星、美光传出将扩产HBM的消息。

大厂积极布局HBM

近期，媒体报道三星为了扩大HBM产能，已收购三星显示（Samsung Display）韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。据悉，三星计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。

此前，据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露，三星已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。同时，三星正在开发HBM4，目标2025年供货。据悉，三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技与混合键合（HCB）等技术，以应用于HBM4产品。

11月6日，美光科技宣布台湾地区台中四厂正式启用。美光表示，台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，量产HBM3E及其他产品，从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。

稍早之前，美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。美光HBM3E目前正在进行英伟达认证，首批HBM3E采用8-Hi设计，提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前美光曾透露，预计2024年新的HBM将带来「数亿」美元的收入。

存储赛道走出底部形态

AI人工智能行业今年快速扩张，算力需求大幅提振之后，存储需求水涨船高，全球存储市场规模预计在万亿之上，存储器核心为DEAM和NAND。对于我们国产自主可控的芯片产业链而言，存储领域的新一轮的国产替代在加速。

从存储市场结构上来看，DRAM一般是内存，主要是运行软件，对应PC电脑和服务器；NAND就是我们一般常说的物理存储器，比如硬盘、U盘、刻录光盘等，主要是做数据存储。从市场规模来看，二者接近，都是是5000亿RMB左右的规模，年化增速为10%。

对于当下数据存储赛道的情况，我们做出以下三点分析。

其一，目前是存储器产品周期的底部，三季度看好存储产品去库完成，终端产品价格有望回暖。2022年存储芯片，我们的市场销售额达5938亿元，预计2023年中国存储芯片市场规模将逼近6500亿元。

一季度，存储器的价格实际是走弱的，终端手机与服务器出货量下降，二者是强相关关系。消费市场来看，颗粒价格触底，然而海外经济周期疲弱，需求并未见到放量。6月份，老美有停止加息的预期，叠加全球各经济体会拿出更多刺激经济措施，本月各行业出现拐点的可能性较大。存储器预计供需改善，但产能不足，存储器进入涨价周期可能性较大。

其二，自主可控2.0时代，存储产业国产化替代加速，产业链也正在变迁之中。

再从市场结构来看。DRAM赛道，三星、美光、海力士占据全球95%的份额，合肥长鑫是我们的市场上最大的DRAM全产业链厂商。19纳米DRAM目前量产稳定，17纳米处于研发之中，长鑫是全球第四家可以生产20纳米以下DRAM产品的厂商。但产品仍处于DDR4阶段，与海力士10纳米DDR5内存相比仍有较大技术差距。但从中低端产品序列来看，国产替代再加速。

在外置硬件NAND赛道来看，三星、凯侠、海力士、西部数据、美光五家共占全球97%以上的市场份额。其中，三星一家独大，其他四家平分秋色。

长江存储是我们最大的NAND厂商，全球份额低于5%。目前全球先进制程上，存储器已经开始规模量产232层NAND，美光是现在目前支撑产能最高的企业，长江存储的NAND已经逐步赶上国际领先水平。但缺点也明显，在存储颗粒的稳定性和接口速率方面，仍需加强。

其三，AI赛道中，HBM是技术核心。HBM实质上是一种封装工艺，这或将成为一个新的A股概念。HBM将通过3D堆栈工艺，让DRAM与GPU紧密结合，而GPU是算力技术的核心芯片，进而形成高性能的DRAM。

高带宽的HBM3可以达到819GB每秒，数据的存储和调用速度大大加快，普通的DRAM仅为96G每秒的带宽。因此，HBM是AI芯片的主流服务器，英伟达和AMD的架构都大量采用了HBM存储器。从终端来看，HBM3存储器的价格已经翻了5倍，是AI诸多硬件赛道中的涨价之王。

2024年市场需求将大幅转往HBM3

当前HBM市场以HBM2e为主，随着原厂不断发力，未来HBM3与HBM3e将挑起大梁。

集邦咨询调查显示，当前HBM市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2e，比重预估达60%，且受惠于其更高的平均销售单价（ASP），将带动明年HBM营收显著成长。