近日，华为发布了一款具有革命性的DriveONE800V碳化硅黄金动力平台，这款产品搭载高转速电机，提供超强的性能和驾乘体验，无疑将为新能源汽车市场带来一场革命。

这款DriveONE800V碳化硅黄金动力平台的交流异步电机拥有150kW的功率，智能辅驱算法可以在各种路况下发挥出超强的性能，提高18km的续航能力。无论是城市驾驶还是高速公路，都能让你轻松应对。

永磁同步电机也是这款平台的亮点之一。它的功率高达215kW，采用扁线绕组和高压SiC模组，达到行业最高的22000rpm转速，高效率达到98%，处于行业领先水平。这意味着在驾驶过程中，你可以享受到更快的加速和更轻松的超车体验。

更令人惊喜的是，这款DriveONE800V碳化硅黄金动力平台的售价不到三分之一就能让你享受超跑般的驾乘体验。这无疑是一个极具吸引力的选择，无论是对于环保人士还是对于追求性能的车迷来说，都是一个不可错过的选择。

华为DriveONE800V碳化硅黄金动力平台的发布，无疑走在新能源汽车技术的最前沿。它的高转速电机、智能辅驱算法以及高效的永磁同步电机都展现了华为在新能源领域的领先地位。

随着全球对环保和可持续发展的重视，新能源汽车市场的前景越来越广阔。而华为的这款DriveONE800V碳化硅黄金动力平台，无疑将为这个市场带来更多的可能性。

碳化硅与800V是“绝配”

碳化硅的崛起，跟汽车行业正在推进的800V高压平台系统算是“绝配”。在800V高压平台趋近的趋势下，行业预计，未来几年SiC功率元器件将随着800V平台的大规模上车进入快速爆发阶段。

为什么这么说？因为，在800V甚至更高水平的平台上，原本的硅基IGBT芯片达到了材料极限，碳化硅则具备耐高压、耐高温、高频等优势，无疑是IGBT最佳的替代方案。

作为今年热炒的第三代功率半导体材料，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）应用在更高阶的高压功率元器件以及高频通讯元器件领域，代表5G时代的主要材料。特别是碳化硅，可谓集“万千宠爱于一身”。

当然，碳化硅面临的一大挑战是它高企的价格。而如何确保以碳化硅芯片实现的成本节约效益，盖过碳化硅芯片较高生产成本这一不利因素，就成为当下最重要的任务。

俗话说，榜样的力量是无穷的，就像特斯拉所做的那样——特斯拉数年来在功率控制芯片中使用碳化硅，效果是能量损失减少，造就更强大的发动机，提升续航里程，从TCO（总体拥有成本）的角度来讲，单车成本反而下降了不少。

实际上，当下SiC+800V大热，说不清是碳化硅成就了800V，还是800V成就了碳化硅，我们能确定的是，接下来，碳化硅替代IGBT正在成为主流。

从价格方面来说，目前国际上SiC价格是对应硅基产品的5~6倍，并以每年10%的速度下降。据预测，随着未来2~3年市场供应加大，预计价格达到对应硅基产品的2~3倍时，由系统成本减少和性能提升带来的优势，将推动SiC逐步替代硅基IGBT等产品。

按照《华尔街日报》的报道，“研究者估计，根据电动车种类的不同，碳化硅相关技术可以帮助一辆车最终节约出750美元的电池成本。”也有人测算，最终使用SiC合计大约会产生约2000元左右的成本降低。不过，碳化硅材料的成本要接近硅基材料，估计还要等几年。

而碳化硅价格高的原因很简单，因为难造。碳化硅为什么那么难造？可以这么说，钻石有多硬，它就有多硬。所以，碳化硅的制造成本在短期內依然高企。

碳化硅厂商加速布局

电动汽车800V高压平台的落地推动车规级碳化硅快速发展。上述业内人士指出，目前来看，800V高压平台有望成为未来SiC的核心应用产品，得到功率器件厂商“前所未有”的重视。

800V的高压系统，需要800V—1200V的功率元器件支持。英飞凌、意法半导体、Wolfspeed、法雷奥、博世等功率器件厂商、汽车零部件一级供应商（Tier1）与车企展开深入合作，加速推进高压碳化硅架构上车进程。

英飞凌2021年6月上市电动汽车逆变器碳化硅模组，应用于现代汽车下一代800V电动车型。基于该模组，现代汽车车辆续航里程提高5%以上。今年6月，英飞凌宣布推出适用于汽车应用的新一代1200V CoolSiC MOSFET，与第一代产品相比，新产品开关损耗降低25%，在实现高频操作的同时，可缩小系统尺寸、提高功率密度。目前，该产品已被汽车充电系统供应商科世达用于下一代车载充电机（OBC）平台中。

意法半导体于2021年5月宣布，为电源模块系统厂商塞米控的eMPack电动汽车电源模块提供碳化硅技术，帮助其建立750V和1200V eMPack平台。去年年底，意法半导体宣布推出新型碳化硅功率模组，并称该模组将被现代集团800V E-GMP电动车平台采用。今年3月，英国跑车制造商迈凯伦宣布已与意法半导体达成合作，下一代 IPG5 800V 逆变器将搭载由后者提供的1200V SiC MOSFET模块。

Wolfspeed为Rhombus Energy Solutions提供1200V SiC MOSFET；博世基于碳化硅模块，在乘用车方面推出扁线800V三合一电驱动总成（电机+电控+减速器），并与江淮汽车在800V电驱、碳化硅逆变器展开全方面合作；法雷奥新开发出800V 碳化硅功率模块，可提升5%的续航里程，同时减重约40%......

放眼市场，车规级碳化硅领域仍由外国半导体企业占据主导地位。但随着国内新能源汽车的快速发展，也吸引了一批国内企业积极发力。比亚迪半导体、斯达半导、中国中车、三安光电、华润微电子、派恩杰、芯聚能等都在布局车规级碳化硅产品。

根据CASA Research不完全统计，2022年国内至少有14家企业推出了超过217款碳化硅MOSFET，品种较2021年增加70%，耐压水平提高到1700V。模块技术方面，2022年，比亚迪推出1200V/1040A碳化硅模块，功率再创新高，大量应用于比亚迪热销车型。芯聚能1200V APD系列碳化硅模块已搭载主驱逆变器上车过万台。

对于国内企业在800V 碳化硅器件上的进展和挑战，三安光电副总经理陈东坡表示：“对于碳化硅器件和模块，如果要将系统电压提升到800V，那么元器件应推升到1200V，但是1200V碳化硅MOSFET器件，目前国内还较为欠缺。再往上游看，衬底和材料部分，目前国内4英寸的基本可以满足，但如果要追求性价比，降低成本的话需要往6英寸甚至8英寸延伸，目前国内市场和国外龙头企业还有一些差距。”